多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

• 作者: 张国义 方慧智 杨华 章蓓 陆敏 陆曙 黎子兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD GaN 缓冲层
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 526-529
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2407字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.009

摘要

采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善.实验结果表明改进的缓冲层法能提高MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量.