外电场对SBN:Cr晶体二波耦合特性的影响及应用

• 作者: 李振伟 杨东升 杨德兴 赵建林 马仰华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SBN:Cr晶体 光折变二波耦合 边沿增强 联合变换相关器
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 3756-3760
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3565字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.026

摘要

对固液同成分SBN:Cr(Sr0.61Ba0.39Nb2O6:Cr)晶体在外加直流电场作用下的光折变二波耦合特性及其应用进行了实验研究,分析了晶体的二波耦合强度增益系数随外电场变化的趋势,并给出了实验测量结果.发现在适当的外电场作用下,晶体的光折变二波耦合增益和响应速度可以得到一定程度的提高.进一步的研究表明,这种电场响应特性有助于改善SBN:Cr晶体的某些应用性能.利用该晶体通过光折变二波耦合非线性放大原理实现光学图像边沿增强时,通过给晶体沿轴向施加适当的外电场,可进一步提高图像边沿增强效果;在基于光折变边沿增强预处理的联合变换相关器中,适当的外加电场可进一步改善联合变换相关器的相关识别性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建林	西北工业大学应用物理系	90	1019	19.0	27.0
2	杨德兴	西北工业大学应用物理系	39	273	9.0	14.0
3	马仰华	西北工业大学应用物理系	4	41	4.0	4.0
4	杨东升	西北工业大学应用物理系	20	166	8.0	12.0
5	李振伟	西北工业大学应用物理系	5	28	4.0	5.0