nMOSFET X射线辐射影响研究

• 作者: 恩云飞 朱樟明 杨银堂 罗宏伟
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅接地nMOS ESD 辐射总剂量 开启电压 二次击穿电流
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 246-248,245
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 2102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2004.03.008

摘要

介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响.试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流I12)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子所	420	2932	23.0	32.0
2	罗宏伟	西安电子科技大学微电子所	8	63	5.0	7.0
6	朱樟明	西安电子科技大学微电子所	164	1318	18.0	26.0
7	恩云飞	信息产业部电子五所分析中心电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室	37	304	10.0	14.0