MOS器件中的等离子损伤

• 作者: 徐向明 赵毅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子 损伤 MOS器件
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.08.009

摘要

随着栅极氧化膜的减薄,等离子对氧化膜的损伤(Plasma Process Induced Damage,P2ID)越来越受到重视.它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能.本文详细介绍了等离子损伤引起的机理、表征方法以及防止措施.