分子导体θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O的合成、结构和导电性

• 作者: 于文涛 张德清 张金彪 徐翠英 方奇 薛刚 许文 陈红余
• 来源期刊: 化学学报
• 关键词: ET 合成 结构 导电性
• 年，卷（期）: 2004,（13）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1217-1221
• 页数: 5页
• 字数: 3186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0567-7351.2004.13.006

摘要

用恒电流电化学结晶的方法合成了一种新的基于电子给体BEDT-TTF(双亚乙基二硫四硫富瓦烯) 的电荷转移盐θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O (ET为BEDT-TTF的简写,C7H7SO-3=对甲苯磺酸根).用四圆X衍射的方法测定了θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O的结构.晶体属于三斜晶系,P-1空间群;a=0.8682(1) nm, b= 1.2027(1) nm, c=2.5890(3) nm, α=87.025(6)°, β=89.117(8)°, γ=69.071(7)°, V=2.5216(5) nm3, R=0.0580.晶体中ET自由基沿a轴方向堆积成柱,相邻两个分子柱中的ET分子平面的夹角为49.30°.在b轴方向存在着分子柱侧向间的S…S近距作用.ET阳离子层与对甲苯磺酸根阴离子层沿c轴方向上交替排列.位于阳离子层与阴离子层之间的许多H2O形成了有利于晶体导电性的二维氢键网络.θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O在(001)晶面上某方向上的室温导电率为0.011 S·cm-1,所测变温电导曲线表明,该晶体在120～278 K温度区间内表现为半导体导电行为,导电激活能Ea=0.316 eV.从278～286 K表现为金属导电性.在276 K附近存在金属-半导体相变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方奇	山东大学晶体材料国家重点实验室	31	159	7.0	11.0
3	薛刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	11	54	5.0	7.0
4	于文涛	山东大学晶体材料国家重点实验室	31	163	8.0	11.0
7	许文	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	7	2.0	2.0
8	陈红余	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
9	徐翠英	中国科学院化学研究所	3	4	1.0	1.0
10	张金彪	中国科学院化学研究所	4	30	2.0	4.0