ICP刻蚀技术研究

• 作者: 冯勇建 张春权 郑志霞
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 干法刻蚀 选择比
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 数学与技术
• 页码范围: 365-368
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2004.z1.079

摘要

介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,研究以SF6为刻蚀气体,不同的电极功率、气体流量、反应室压强、反应室温度、样片开槽宽度等工艺参数对Si和SiO2的刻蚀速率和选择比的影响.实验结果表明,提高RF1功率和SF6流量,可以提高刻蚀速率和选择比,提高RF2功率虽能提高刻蚀速率但降低选择比,反应室压强上升到1.2 Pa时,刻蚀速率达最大值,刻蚀温度为零度时,Si的刻蚀速率最大,开槽宽度对刻蚀速率影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张春权	厦门大学萨本栋微机电研究中心	6	160	5.0	6.0
2	冯勇建	厦门大学萨本栋微机电研究中心	103	953	15.0	26.0
3	郑志霞	莆田学院机电系	34	267	8.0	15.0