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摘要:
基于对Ge在Si(113)上外延生长的扫描隧道显微学观察和第一性原理总能量和能带的计算,作者确定了Ge/Si(113)-(2×2)表面的结构.它是由沿[1-10]方向的反键增原子列和倾斜五聚体列交替排列而成.其中五聚体的形成是由于处于亚表面的自间隙原子的作用.这一发现说明自间隙原子的存在是(113)取向表面的固有属性.
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文献信息
篇名 Ge/Si(113)-(2×2)表面:自间隙原子引起的结构特征
来源期刊 物理 学科 物理学
关键词 Ge/Si(113)-(2×2)表面,外延生长,自间隙原子
年,卷(期) 2004,(10) 所属期刊栏目 研究快讯
研究方向 页码范围 708-712
页数 5页 分类号 O4
字数 2892字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.10.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张朝晖 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 20 61 5.0 6.0
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Ge/Si(113)-(2×2)表面,外延生长,自间隙原子
研究起点
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期刊影响力
物理
月刊
0379-4148
11-1957/O4
大16开
北京603信箱
2-805
1951
chi
出版文献量(篇)
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