DMOS阈值电压二维模型

• 作者: 张波 方健 李泽宏 李肇基 杨舰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: double-diffusion MOSFET 阈值电压 二维阈值电压模型
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 715-719
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.020

摘要

提出了DMOS器件的二维阈值电压模型,分析了耗尽层宽度的变化,并得到了模型的数学表达式.模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合.给出了沟道表面扩散浓度在2.0×1016～10.0×1016cm-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式.该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子研究所	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子研究所	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学微电子研究所	35	304	9.0	16.0
4	杨舰	电子科技大学微电子研究所	9	41	4.0	5.0
5	李泽宏	电子科技大学微电子研究所	32	111	6.0	8.0