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摘要:
以WC-6%Co为基体,采用磁控溅射法,在酸蚀后进行氢等离子体脱碳试样上制备Ti过渡层,然后碳化过渡层为TiC.在电子辅助热丝化学气相沉积装置中制备金刚石薄膜.研究碳化条件对金刚石薄膜与基体附着力的影响.结果表明,在700℃左右的低温碳化,TiC结构致密,而在850℃左右的高温碳化,TiC呈疏松的多孔组织,在CH4-Ar等离子体中碳化则850℃左右仍能获得致密的TiC层.在致密的过渡层上沉积的金刚石薄膜具有更高的附着力.
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篇名 硬质合金基体上钛过渡层碳化条件对金刚石薄膜附着力的影响
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 硬质合金 HFCVD 金刚石薄膜 Ti过渡层
年,卷(期) 2004,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1048-1051
页数 4页 分类号 TQ163
字数 1530字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.037
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硬质合金
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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