碳化硅CMOS反相器的特性

• 作者: 姬慧莲 李跃进 杨银堂 柴常春 郭中和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 反相器 模拟
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 329-332
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 字数: 2167字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.019

摘要

建立了6H-SiC CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了SiC CMOS反相器的温度特性,结果表明,室温下沟道长度为1.5μm的6H-SiC CMOS反相器的阈值电压、高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为1.657,3.156和1.470V,且随着温度的升高而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	李跃进	西安电子科技大学微电子研究所	70	432	11.0	17.0
3	柴常春	西安电子科技大学微电子研究所	80	592	15.0	19.0
4	姬慧莲	西安电子科技大学微电子研究所	6	15	3.0	3.0
5	郭中和	西安电子科技大学微电子研究所	4	11	2.0	3.0