增强型4H-SiC埋沟MOSFET的工作机理

• 作者: 杨晓菲 赵艳英
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 碳化硅 埋沟 MOSFET
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: IC工程
• 页码范围: 62-63
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.2+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2004.09.027

摘要

本文对一种新型增强型4H-SiC埋沟MOSFET结构的工作机理进行了研究.通过对不同偏压下电荷分布和电势分布的分析,分别总结了线性区和饱和区所包含的工作模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵艳英	西安电子科技大学微电子研究所	1	0	0.0	0.0
2	杨晓菲	西安电子科技大学微电子研究所	1	0	0.0	0.0