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摘要:
本文报导了Ce:YAP晶体位错蚀坑的腐蚀条件;同时报导了几个主要晶面的位错蚀坑形貌,(100)面呈扁豆形,(010)面呈菱形,(101)面呈椭圆形,这些形状与各自晶面的对称性一致.通过蚀坑形貌在晶体横截面内观察到了小面生长核心区和熔质尾迹等缺陷,并分析了其成因.
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文献信息
篇名 高温闪烁晶体Ce:YAP的化学腐蚀形貌
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 Ce:YAP晶体 闪烁晶体 位错 腐蚀形貌
年,卷(期) 2004,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 123-125
页数 3页 分类号 O772
字数 1808字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李红军 中国科学院上海光学精密机械研究所 83 1136 19.0 29.0
2 徐军 中国科学院上海光学精密机械研究所 290 2418 22.0 34.0
3 赵广军 中国科学院上海光学精密机械研究所 55 422 11.0 16.0
4 周圣明 中国科学院上海光学精密机械研究所 48 298 9.0 16.0
5 曾雄辉 中国科学院上海光学精密机械研究所 21 118 7.0 10.0
6 钱振英 中国科学院上海光学精密机械研究所 2 17 2.0 2.0
7 郭聚平 中国科学院上海光学精密机械研究所 5 36 5.0 5.0
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闪烁晶体
位错
腐蚀形貌
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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