碲化锌插入层对碲化镉太阳电池性能参数影响的分析

• 作者: 冯良桓 夏庚培 宋慧瑾 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 鄢强 黎兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共蒸发沉积 背接触 碲化镉太阳电池 插入层 填充因子
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 424-429
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.42
• 字数: 3606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.013

摘要

分析了有ZnTe/ZnTe∶Cu插入层的CdTe太阳电池在能带结构上的变化.通过对比有无插入层的CdTe太阳电池在C-V特性、I-V特性、光谱响应上的不同,肯定了插入层对改善背接触特性的作用,发现它还可以改善器件前结CdS/CdTe的二极管特性和短波光谱响应.实验结果还表明,不掺杂的ZnTe对提高器件的效率是必要的.恰当的不掺杂层厚度和退火温度能有效地改进CdTe太阳电池的性能,而对填充因子的提高最为显著.