Sol-gel法制备掺钕钛酸铅铁电薄膜

• 作者: 仪修杰 姜付义 杨长红 王卓 翟剑庞 韩建儒
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: sol-gel法 PNT 铁电薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 223-226
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 1777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.022

摘要

采用sol-gel法在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Nd0.1TiO3(PNT) 薄膜.用X射线衍射技术研究了退火温度对薄膜结构和结晶性的影响.同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能.结果发现在600℃下退火1h的PNT薄膜呈钙钛矿结构;在0～5V范围内,薄膜的漏电流密度小于1.00×10-5A/cm2;在±5V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为2V;在零电压下,时间保持长达105～106s; 在室温100kHz下,其介电常数为31.60,介电损耗为0.12.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王卓	山东大学晶体材料国家重点实验室	18	63	5.0	7.0
2	杨长红	山东大学晶体材料国家重点实验室	13	61	5.0	7.0
3	韩建儒	山东大学晶体材料国家重点实验室	27	83	6.0	8.0
4	姜付义	山东大学晶体材料国家重点实验室	6	14	2.0	3.0
5	翟剑庞	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	4	1.0	1.0
6	仪修杰	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	19	2.0	4.0