应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究

• 作者: 余庆选 吴气虹 廖源 徐波 方容川 王冠中
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光 应力 Raman光谱
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 204-209
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 3196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.01.038

摘要

对化学气相沉积(MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光(PL)光谱进行了测量,用Raman光谱和x射线衍射(XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响,从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律.