单电子三势垒隧穿结I-V特性研究

• 作者: 刘彦欣 杜少毅 王永昌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 正统理论 库仑台阶 主方程 隧穿概率
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2734-2740
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.057

摘要

在正统理论的基础上,提出了单电子三势垒隧穿结模型的主方程,并用线性方程组解法求出了其稳态解.通过数值模拟,得到了该系统的I-V特性曲线.发现其有别于双势垒隧穿结的情况,在传统库仑台阶的平台处曲线存在波纹状结构,分析得出这是由于第二个库仑岛上的电子数变化对I-V曲线的影响.此外,研究了各物理参数对I-V曲线的影响,发现三结系统可以降低对温度的要求,并应用Fermi能级处的能级间隔估算出出现库仑台阶现象的最高温度Tmax,为相关单电子器件的参数选择提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永昌	西安交通大学理学院	65	635	16.0	21.0
2	刘彦欣	西安交通大学理学院	1	4	1.0	1.0
3	杜少毅	西安交通大学理学院	10	32	4.0	5.0