一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法

• 作者: 于春利 杨林安 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 轻掺杂漏MOSFET 参数提取 寄生串联电阻 迁移率
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1215-1220
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1738字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.004

摘要

提出了一种适用于短沟道LDD MOSFET的改进型参数提取方法,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法,提取偏压相关参数,保证了线性回归方法的精度和有效性,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑.提取出的参数用于已建立的深亚微米LDD MOSFET的I-V特性模型中,模拟与测试数据的吻合表明了该方法的实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子研究所	17	95	6.0	9.0
3	于春利	西安电子科技大学微电子研究所	8	63	4.0	7.0