多晶硅薄膜压阻系数的理论研究

• 作者: 刘晓为 张颖 王东红 陈伟平 霍明学
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应力退耦模型 压阻系数 多晶硅
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 292-296
• 页数: 5页
• 分类号: O738
• 字数: 3945字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.011

摘要

利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据.