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摘要:
ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力,MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。
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文献信息
篇名 下一代晶体管露脸
来源期刊 测控自动化 学科 工学
关键词 CMOS晶体管 一代 场效应晶体管 半导体器件 工艺能力 技术节点 HPL 公司 多栅
年,卷(期) 2004,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 9
页数 1页 分类号 TN929.5
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2004(0)
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS晶体管
一代
场效应晶体管
半导体器件
工艺能力
技术节点
HPL
公司
多栅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
测控自动化
月刊
1008-0570
北京海淀区皂君庙14号院鑫雅苑6号楼60
出版文献量(篇)
668
总下载数(次)
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总被引数(次)
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