化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷

• 作者: 吕海涛 左燕 张维连 步云英
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石单晶 位错 化学腐蚀
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.21|O77+2
• 字数: 2150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.04.023

摘要

采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104～10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维连		27	203	9.0	13.0
2	吕海涛		5	59	3.0	5.0
3	左燕		5	67	4.0	5.0
4	步云英		1	32	1.0	1.0