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摘要:
提出了一种自顶向下的基于晶体管级的全定制IP漏电流功耗计算方法,该方法计算快速高效,实用性强,取代了以往完全依靠软件仿真进行功耗计算的技术.在设计龙芯Ⅱ号CPU中的全定制IP时应用了此方法,该芯片采用的是中芯国际0.18μm CMOS工艺技术.为了验证该方法,把计算结果与Synopsys公司的Nanosim仿真结果进行对比,误差只有10%左右.由于软件仿真需要大量的测试激励与计算时间,而该方法不需要外加测试激励便可以计算出全定制IP漏电流功耗,并能快速找到其模块所在位置,使设计周期大为缩短,因此完全可以针对这种计算方法开发相应软件及进行应用.
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文献信息
篇名 基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 漏电流功耗 堆积因子 有效宽度 高阻态
年,卷(期) 2004,(9) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1169-1174
页数 6页 分类号 TN402
字数 4217字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周玉梅 中国科学院微电子研究所 94 1031 16.0 28.0
2 张锋 中国科学院微电子研究所 59 509 10.0 21.0
3 黄令仪 中国科学院微电子研究所 12 63 3.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
漏电流功耗
堆积因子
有效宽度
高阻态
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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