可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底的制备

• 作者: 孙国胜 张永兴 曾一平 李晋闽 王军喜 王晓亮 王雷 赵万顺 高欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC/Si(111)衬底 LPCVD GaN
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1205-1210
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.002

摘要

利用新研制出的垂直式低压CVD(LPCVD)SiC生长系统,获得了高质量的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底材料.系统研究了3C-SiC的n型和p型原位掺杂技术,获得了生长速率和表面形貌对反应气体中SiH4流量和C/Si原子比率的依赖关系.利用Hall测试技术、非接触式方块电阻测试方法和SIMS,分别研究了3C-SiC的电学特性、均匀性和故意调制掺杂的N浓度纵向分布.利用MBE方法,在原生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底上进行了GaN的外延生长,并研究了GaN材料的表面、结构和光学特性.结果表明3C-SiC是一种适合于高质量无裂纹GaN外延生长的衬底或缓冲材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
3	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
4	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
5	赵万顺	中国科学院半导体研究所	17	77	5.0	8.0
6	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
7	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
8	高欣	中国科学院半导体研究所	46	202	9.0	12.0
9	张永兴	中国科学院半导体研究所	4	21	3.0	4.0