CMOS双带低噪声放大器

• 作者: 冯东 石秉学
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 双带接收机 功率匹配 噪声匹配 功率增益 电压增益
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1055-1060
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 1143字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.003

摘要

描述了基于CMOS工艺的双带低噪声放大器的设计,其目的是用单个低噪声放大器取代双带收发机(如符合IEEE 802.11a和802.11b/g标准的WLAN)中的两个单独的低噪声放大器.讨论了输入功率和噪声的双带同时匹配以及负载对增益的影响.芯片的加工工艺是0.25μm CMOS混合及射频工艺.并总结和分析了芯片的测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石秉学	清华大学微电子学研究所	42	298	10.0	16.0
2	冯东	清华大学微电子学研究所	4	10	3.0	3.0