La3Ga5SiO14晶体电光Q开关的研究

• 作者: 尹鑫 张少军 王继扬
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 物理光学 旋光性 电光效应 偏光干涉 电光Q开关
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN243
• 字数: 2749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.01.009

摘要

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态,建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置.通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究,得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图,并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	张少军	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	25	179	8.0	12.0
3	尹鑫	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	20	119	6.0	10.0