隔离技术对SOI PMOSFET中空穴迁移率的影响

• 作者: 海潮和 赵洪辰 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LOCOS MESA 迁移率 应力
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1345-1348
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1344字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.030

摘要

在SIMOX和Smart-cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET,虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小,但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件.模拟表明,LOCOS场氧生长过程中,由于SiO2体积膨胀,在硅膜中形成较大的压应力,从而降低了空穴的迁移率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	赵洪辰	中国科学院微电子研究所	10	29	4.0	5.0
4	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0