用于SiGe HBT器件的UHV/CVDn-型硅外延研究

• 作者: 刘志弘 张伟 李希有 沈冠豪 钱佩信 陈培毅 陈长春 黄文韬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: UHV/CVD 硅外延 杂质分布 SiGe HBT
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1666-1671
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.023

摘要

利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺As n+型Si衬底上生长了掺P n-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在 V CB =14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在 V CE =5V, I C=3mA时的放大倍数为60.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	清华大学微电子学研究所	180	2989	27.0	49.0
2	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
3	刘志弘	清华大学微电子学研究所	20	75	4.0	8.0
4	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
5	李希有	清华大学微电子学研究所	8	30	4.0	5.0
6	黄文韬	清华大学微电子学研究所	12	43	5.0	6.0
7	陈长春	清华大学微电子学研究所	10	23	3.0	4.0
8	沈冠豪	清华大学微电子学研究所	1	1	1.0	1.0