氮掺杂SiC厚膜的制备及其热电特性

• 作者: 王新华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 薄膜 PVD 热电性能
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 961-966
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.014

摘要

以SiC超细粉为原料,采用热等离子体PVD(TPPVD)法快速制备了SiC膜,最大沉积速度达到138nm/s.为了降低SiC膜的电阻率,提高其热电性能,采用向等离子体中通入N2的方法对SiC膜进行了掺杂.用扫描电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子谱对薄膜的形貌和结构进行了观察和分析.实验测定了SiC膜掺杂前后的热电性能并与SiC烧结体的结果进行比较.实验结果表明:向等离子体中导入N2是对SiC膜进行掺杂的有效方法,但同时也显著影响SiC膜的形貌、成分和沉积速度.未进行氮掺杂和经过氮掺杂后的SiC薄膜的(S2/ρ)值在973K时分别达到160μW/(m·K2)和1000μW/(m·K2),是SiC烧结体的5.3倍和33倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新华	浙江大学材料系	55	287	10.0	13.0