用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构

• 作者: 刘彩池 唐蕾 徐岳生 王海云 郝景臣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SI-GaAs 小角度晶界 胞状结构
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 651-655
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.060

摘要

通过x射线异常透射形貌(XRT),化学腐蚀显微观察和电子显微技术(TEM)研究了液封直拉(LEC)法生长的半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构,从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑,分析了该结构的形成机理与过程.认为这是由高密度位错(EPD)运动和反应所形成的小角度晶界的集合群.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	徐岳生	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	21	163	7.0	12.0
3	王海云	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	16	86	5.0	8.0
4	唐蕾	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	5	37	3.0	5.0