GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

• 作者: 孙长征 罗毅 胡卉 邵嘉平 郝智彪 郭文平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN LED材料 蓝带发光
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1496-1499
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.028

摘要

分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.