非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

• 作者: 曹春海 李拂晓 焦刚 薛舫时 陈堂胜
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 微波大功率
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 69-72
• 页数: 4页
• 分类号: TN72
• 字数: 3643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.014

摘要

报道了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的钝化.研制的200μm栅宽T型布局AlGaN/GaN HEMT在1.8GHz,Vds=30V时输出功率为28.93dBm,输出功率密度达到3.9W/mm,功率增益为15.59dB,功率附加效率(PAE)为48.3%.在6.2GHz,Vds=25V时该器件输出功率为27.06dBm,输出功率密度为2.5W/mm,功率增益为10.24dB,PAE为35.2%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈堂胜		56	225	8.0	12.0
2	李拂晓		60	352	10.0	14.0
3	薛舫时		30	154	7.0	11.0
4	焦刚		12	80	5.0	8.0
5	曹春海		3	54	2.0	3.0