分子模板法制备纳米多孔SiO2薄膜

• 作者: 何志巍 兰伟 王印月 甄聪棉 缑洁 郭得峰
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: SiO2 低介电常数 分子模板
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 462-465
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4|O648.16
• 字数: 2647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.003

摘要

报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌,发现改性后薄膜孔洞大小均匀,排列有序,孔径在200 nm左右.付立叶红外变换光谱(FTIR)研究表明,改性后薄膜内存在大量的-CH3键,增强了薄膜的憎水性,可以有效抑制孔洞塌缩.用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚,并且研究了热处理温度对二者的影响,发现当热处理温度为350 ℃时薄膜厚度约为400 nm,此时介电常数有最低值1.66.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何志巍	兰州大学物理学院	7	100	5.0	7.0
2	王印月	兰州大学物理学院	39	567	15.0	23.0
3	郭得峰	兰州大学物理学院	2	6	2.0	2.0
4	兰伟	兰州大学物理学院	15	168	6.0	12.0
5	甄聪棉	兰州大学物理学院	8	89	4.0	8.0
6	缑洁	兰州大学物理学院	2	4	1.0	2.0