耦合双量子点中基态电子的隧穿特性

• 作者: 张荣 施毅 熊诗杰 肖洁 郑有炓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子比特 隧穿时间 量子点
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 2669字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.007

摘要

介绍了以Si/SiO2系统构成的量子异或门的工作原理,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性.研究结果表明,通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿,其隧穿时间随势垒厚度和量子点尺寸结构参数发生显著的变化.目前模拟的特征变化曲线表明,可获得实验上理想的隧穿时间(工作频率)和相应的栅压(工作电压).