TiO2掺杂对ZnO压敏电阻低压化过程的影响

• 作者: 何忠伟 孙丹峰 徐政
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 压敏电阻 氧化钛掺杂 晶粒长大 低压化
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1161-1164
• 页数: 4页
• 分类号: TB321|TB34
• 字数: 2421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.09.024

摘要

近年来,加入晶粒助长剂TiO2以实现低压化的低压ZnO压敏电阻发展迅速.实验所用配方为掺杂TiO2的98.3%ZnO-0.7% Bi2O3-1.0% TiO2(摩尔分数)和相应无TiO2掺杂的配方,在900～1 200 ℃下烧结制备样品.给出了相分析、半定量分析及电性能测试结果.发现TiO2可以有效促进ZnO晶粒长大,降低压敏电压梯度.1 100 ℃下,TiO2掺杂试样的平均晶粒尺寸为56.4 μm,远大于无TiO2掺杂的31.8 μm.大部分TiO2首先与Bi2O3反应生成Bi4(TiO4)3液相,这大大促进了ZnO晶粒生长.高于1 000 ℃时Bi4(TiO4)3分解,分解出的TiO2与ZnO发生反应,生成Zn2 TiO4尖晶石相,晶粒生长受阻,直至停止.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐政	同济大学材料科学与工程学院	160	2312	24.0	39.0
2	何忠伟	同济大学材料科学与工程学院	7	61	4.0	7.0
3	孙丹峰		16	169	7.0	12.0