高介电HfO2薄膜的制备及其结构和界面特性研究

• 作者: 何刚 张立德 方起
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体氧化 氧化铪 高介电薄膜 制备 界面
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1433-1435
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.21
• 字数: 2197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.401

摘要

报道了用低温等离子体直接氧化溅射金属铪膜的方法制备高介电HfO2薄膜.研究了退火温度及气氛对薄膜的结构和界面特性的影响.傅立叶变化红外测试结果表明:界面的主要成分为SiO2,氧气气氛下的高温退火将导致界面SiO2的不可控制的生长.高纯的N2退火导致了界面层的分解,引起Si-O键的振动峰位的轻微移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立德	中国科学院固体物理研究所	101	1916	23.0	41.0
2	何刚	中国科学院固体物理研究所	8	147	6.0	8.0
3	方起	中国科学院固体物理研究所	1	2	1.0	1.0