Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长

• 作者: 伍墨 冯淦 刘建平 史永生 张宝顺 朱建军 杨辉 梁骏吾 段丽宏 沈晓明 陈俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 应力 MOVPE 微裂
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 410-414
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2691字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.010

摘要

采用AlN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长.通过对GaN外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了GaN所受张应力与AlN插入层厚度的变化关系.当AlN厚度在7～13nm范围内,GaN所受张应力最小,甚至变为压应力.因此,GaN微裂得以消除.同时研究了AlN插入层对GaN晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有AlN插入层的GaN样品有明显提高.