考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型

• 作者: 张义门 张玉明 郜锦侠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC PMOSFET 源漏串联电阻 解析模型
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1296-1300
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.020

摘要

在考虑源漏串联电阻的基础上,建立了一组适用于SiC PMOSFET的解析模型.计算结果与实验结果符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	郜锦侠	西安电子科技大学微电子研究所	8	42	3.0	6.0