阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型

• 作者: 张波 方健 李肇基 郭宇锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 埋氧层固定电荷 击穿电压 模型
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1695-1700
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.029

摘要

提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数 n 从0到∞时的器件击穿特性进行了研究.结果表明,该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限,使埋氧层电场从常规75V/μm提高到500V/μm以上;同时得到均匀的表面电场分布,缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾,因此SBOC结构是一种改善SOI耐压的良好结构.