超薄SiO2栅介质厚度提取与分析

• 作者: 张兴 程行之 许晓燕 谭静荣 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄栅介质 量子效应 多晶硅耗尽效应 栅氧厚度
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1306-1310
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2114字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.022

摘要

在分析半经典模型和量子模型的基础上,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型.栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	谭静荣	北京大学微电子学研究所	5	4	1.0	1.0
4	许晓燕	北京大学微电子学研究所	6	6	1.0	1.0
5	程行之	北京大学微电子学研究所	3	2	1.0	1.0