不同结构光学电压互感器抗电场干扰的探讨

• 作者: 刘会金 程云国
• 来源期刊: 继电器
• 学科: 工学
• 关键词: 光学电压互感器 横向和纵向调制 电场
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 理论分析与计算
• 页码范围: 13-15,19
• 页数: 4页
• 分类号: TM451|TM43
• 字数: 2855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-3415.2004.11.004

摘要

外电场对光学电压互感器(Optical Voltage Transformer,OVT)的干扰与OVT的结构有关系,通光方向和电压方向不同,外电场对OVT的影响也不同.该文详细分析了外电场对OVT的横向调制和纵向调制两种基本结构的影响.针对这两种结构抗电场干扰的特点,兼顾实际高电压测量中的信号处理,提出了一种OVT传感头结构的改进措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘会金	武汉大学电气工程学院	129	3480	34.0	54.0
2	程云国	武汉大学电气工程学院	2	99	2.0	2.0