退火温度对轧制复合Cu/Mo/Cu电子封装材料性能的影响

• 作者: 姜国圣 王志法 王海山 肖学章 莫文剑
• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: 电子封装材料 Cu/Mo/Cu 轧制复合 退火温度 性能
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TG156.25
• 字数: 2275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6051.2004.05.006

摘要

研究了不同退火温度对轧制复合Cu/Mo/Cu电子封装材料性能的影响.结果表明退火温度对复合材料的剪切强度、轧向导电能力和厚度方向导热能力有显著影响,退火温度为850℃时,Cu/Mo/Cu电子封装材料的综合性能最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志法	中南大学材料科学与工程学院	61	796	13.0	25.0
2	姜国圣	中南大学材料科学与工程学院	39	436	10.0	19.0
3	王海山	中南大学材料科学与工程学院	7	209	6.0	7.0
4	莫文剑	中南大学材料科学与工程学院	7	211	7.0	7.0
5	肖学章	中南大学材料科学与工程学院	1	17	1.0	1.0