p型GaN欧姆接触的研究进展

• 作者: 刘宝林 潘群峰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: p型 GaN 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 15-18,33
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3854字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.08.005

摘要

宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快.p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制.本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘群峰	厦门大学物理系	3	15	2.0	3.0
2	刘宝林	厦门大学物理系	30	167	9.0	11.0