BVCBO为23V且fT为7GHz 30叉指微波功率SiGe HBT

• 作者: 刘志宏 张伟 李希有 熊小义 许军 钟涛 钱佩信 陈长春 黄文韬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT fT 功率管
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1238-1242
• 页数: 5页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.008

摘要

在125mm标准CMOS工艺线上,对标准CMOS工艺经过一些必要的改动后,研制出了多叉指功率SiGe HBT.该器件的BVCBO为23V.在较大IC范围内,电流增益均非常稳定.在直流工作点IC=40mA ,VCE=8V测得fT为7GHz,表现出较大的电流处理能力.在B类连续波条件下,工作频率为3GHz时,测得输出功率为31dBm,Gp为10dB,且PAE为33.3%.测试结果表明,单片成品率达到了85%,意味着该研究结果已达到产业化水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	清华大学微电子学研究所	180	2989	27.0	49.0
2	刘志宏	清华大学微电子学研究所	26	134	6.0	10.0
3	许军	清华大学微电子学研究所	32	200	7.0	13.0
4	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
5	李希有	清华大学微电子学研究所	8	30	4.0	5.0
6	熊小义	清华大学微电子学研究所	5	18	3.0	4.0
7	黄文韬	清华大学微电子学研究所	12	43	5.0	6.0
8	陈长春	清华大学微电子学研究所	10	23	3.0	4.0
9	钟涛	清华大学微电子学研究所	1	7	1.0	1.0