氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究

• 作者: 宗福建 张希键 肖洪地 胡文容 薛成山 计峰 马洪磊 马瑾
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ga2O3粉末 GaN粉末 氮化温度
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 光功能材料及其应用
• 页码范围: 221-223
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.047

摘要

在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑾	山东大学物理与微电子学院	44	495	13.0	20.0
2	计峰	山东大学物理与微电子学院	23	185	7.0	13.0
3	马洪磊	山东大学物理与微电子学院	58	681	15.0	23.0
4	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
5	肖洪地	山东大学物理与微电子学院	25	162	7.0	11.0
6	宗福建	山东大学物理与微电子学院	13	37	5.0	5.0
7	张希键	山东大学物理与微电子学院	1	1	1.0	1.0