宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关

• 作者: 丁颖 刘志宏 周帆 张瑞英 朱洪亮 王书荣 王圩 王鲁峰 赵玲娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体放大器光开关 宽带 偏振不灵敏 张应变准体InGaAs 光纤到光钎无损工作电流 消光比
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 898-902
• 页数: 5页
• 分类号: TN722
• 字数: 712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.003

摘要

研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80mA的注入电流下,器件的3dB光带宽大于85nm(1520～1609nm).该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1525～1565nm)和L带(1570～1610nm).最为重要的是,在3dB光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0.7dB;光纤到光纤无损工作电流在70～90mA之间;消光比大于50dB.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景.