重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

• 作者: 李立本 杨德仁 沈益军 王飞尧 阙端麟 马向阳 黄笑容
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 重掺杂直拉硅 氧沉淀 缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 662-667
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 4358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.009

摘要

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响.实验结果表明:重掺p型(硼)硅片氧沉淀被促进,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷;重掺n型(磷、砷、锑)硅片氧沉淀受抑制,氧沉淀密度低却诱生出层错;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响.讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理,并利用掺杂元素-本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	黄笑容	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	19	2.0	3.0
5	沈益军	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	23	3.0	3.0
6	王飞尧	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	9	1.0	1.0
7	李立本	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	94	7.0	9.0