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摘要:
高平均功率的二极管泵浦固体激光器(DPL)要求用于泵浦的二极管阵列功率密度达到1kW/cm^2,由于二极管运行的电光效率只有40%50%,需要高强度的冷却器来对面阵进行冷却。V型槽硅微通道冷却器。结构紧凑,具有较高的冷却能力,可在其V形槽上同时焊接多条bar而形成面阵。从而能大幅提高封装工艺的集成度,降低封装成本,使大规模地封装高功率激光二极管阵列成为可能。
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文献信息
篇名 V形槽硅微通道冷却器的研制
来源期刊 中国工程物理研究院科技年报 学科 工学
关键词 微通道冷却器 V形槽 二极管泵浦固体激光器 激光二极管阵列 封装工艺 高平均功率 功率密度
年,卷(期) 2004,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 203-204
页数 2页 分类号 TN248.1
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研究主题发展历程
节点文献
微通道冷却器
V形槽
二极管泵浦固体激光器
激光二极管阵列
封装工艺
高平均功率
功率密度
研究起点
研究来源
研究分支
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中国工程物理研究院科技年报
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四川省绵阳市919信箱805分箱
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