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摘要:
提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施.成功地制造出频率在400MHz时输出功率大于20W、功率增益大于7dB、漏效率大于70%和700MHz时输出功率大于7W、功率增益大于5dB,漏效率大于50%的高性能静电感应晶体管.
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文献信息
篇名 微波高功率双介质栅静电感应晶体管
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 静电感应晶体管 双介质栅 同步外延 寄生电容
年,卷(期) 2004,(1) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 19-25
页数 7页 分类号 TN386.6
字数 795字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 胡冬青 兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所 7 67 5.0 7.0
2 李思渊 兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所 25 113 7.0 9.0
3 王永顺 兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所 8 67 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
静电感应晶体管
双介质栅
同步外延
寄生电容
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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