半导体激光器端面泵浦Nd:YAG激光器用In0.25Ga0.75As吸收体被动锁模兼做输出镜

• 作者: 张丙元 张志刚 李港 王勇刚 陈檬 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体可饱和吸收镜 In0.25 Ga0.75 As 输出镜 锁模
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1595-1598
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 1182字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.010

摘要

用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体--低温InGaAs (LT-In0.25 Ga0.75 As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁模,脉冲宽度为皮秒量级,重复率为150MHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
2	陈檬	北京工业大学激光工程学院	65	286	8.0	14.0
3	李港	北京工业大学激光工程学院	67	325	8.0	14.0
4	王勇刚	中国科学院半导体研究所	37	279	10.0	14.0
5	张志刚	北京工业大学激光工程学院	14	94	5.0	9.0
6	张丙元	北京工业大学激光工程学院	7	107	4.0	7.0