高压下TATB晶体结构的理论研究

• 作者: 张朝阳 王新锋 舒远杰 赵晓东
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 数学
• 关键词: TATB晶体结构 高压 理论研究
• 年，卷（期）: 2004,（z2）
• 所属期刊栏目: 数值模拟与分子设计技术
• 页码范围: 551-554
• 页数: 4页
• 分类号: O242
• 字数: 2253字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2004.z2.053

摘要

采用Material Studio/CASTEP研究不同压强下TATB晶体结构表明:(1)当外压在0.1～10GPa时,TATB晶胞主要沿c轴方向变动;且晶体的能带结构及TATB的分子结构变化不大;(2)在几十个GPa的条件下,TATB可压缩至密度超过2.5g/cm3,而能量升高不多;(3)在0.1～100GPa条件下,TATB晶体为半导体,而过渡到导体的压力大概为几百个GPa,此时TATB分子结构已被破坏.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	舒远杰	中国工程物理研究院化工材料研究所	129	1101	17.0	24.0
2	张朝阳	中国工程物理研究院化工材料研究所	36	233	10.0	13.0
3	王新锋	中国工程物理研究院化工材料研究所	21	163	9.0	12.0
4	赵晓东	中国工程物理研究院化工材料研究所	7	162	4.0	7.0