ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响

• 作者: 严清峰 余金中 杨笛 樊中朝 王良臣 陈少武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI ICP 粗糙度 脊形光波导
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1500-1504
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.029

摘要

研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	110	703	13.0	21.0
2	樊中朝	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	13	220	8.0	13.0
3	陈少武	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	39	387	9.0	19.0
4	严清峰	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	14	108	6.0	10.0
5	王良臣		31	192	8.0	13.0
8	杨笛	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	3	20	2.0	3.0